Klíčový rozdíl – HCP vs CCP
Pojem „úzká sbalená struktura“se používá pro mřížky nebo krystalové systémy. Popisuje krystalové systémy s těsně sbalenými atomy. V krystalových systémech je atom známý jako „koule“. Je to proto, že atom je považován za kulovou strukturu pro snadnost popisu krystalového systému. Těsné seskupení stejných koulí vytvoří hustý krystalový systém s minimálními prázdnými prostory nebo otvory mezi těmito koulemi. Mezi koulemi může existovat několik typů děr. Díra existuje mezi třemi stejnými koulemi je známá jako trigonální díra, protože vypadá jako trojúhelník. Na jedné vrstvě je několik vrstev koulí. Pokud je druhá vrstva umístěna tak, že trojúhelníkový otvor je zakrytý koulemi této druhé vrstvy, vytvoří se čtyřstěnný otvor. Ale pokud je druhá vrstva umístěna tak, že odkrývá trigonální díru, pak vytváří oktaedrickou díru. Existuje několik typů těsně sbalených krystalových struktur, jako je HCP (hexagonální nejblíže sbalené) a CCP (krychlové nejblíže sbalené). Klíčový rozdíl mezi HCP a CCP je v tom, že opakující se struktura HCP má 2 vrstvy koulí, zatímco opakující se struktura CCP má 3 vrstvy koulí.
Co je HCP?
Pojem HCP znamená šestiúhelníkové nejbližší sbalené krystalové systémy. V šestiúhelníkových nejblíže zabalených krystalových systémech má třetí vrstva kuliček stejné uspořádání kuliček jako v první vrstvě. Poté koule druhé vrstvy pokrývají čtyřstěnné otvory první vrstvy a třetí vrstvy.
Obrázek 01: Model HCP
Šestiúhelníkový nejblíže zabalený krystalový systém má přibližně 74 % svého objemu obsazeného koulemi nebo atomy, zatímco 26 % objemu zabírají prázdná místa. Jeden atom nebo koule ve struktuře HCP je obklopena 12 sousedními koulemi. Krystalový systém HCP má 6 členů (atomů nebo koulí) na jednotkovou buňku.
Co je CCP?
Pojem CCP znamená kubické nejbližší zabalené krystalové systémy. Zde je druhá vrstva koulí umístěna na polovině prohlubní první vrstvy. Třetí vrstva je zcela odlišná od vrstvy prvních dvou vrstev. Třetí vrstva je naskládána uvnitř prohlubní druhé vrstvy. Toto těsnění proto pokrývá všechny oktaedrické otvory, protože vrstvy nejsou zabaleny v jedné linii. Čtvrtá vrstva je však podobná první vrstvě, a proto se struktura opakuje.
Obrázek 02: Model CCP
Krychlový nejblíže zabalený krystalový systém má přibližně 74 % svého objemu obsazeného koulemi nebo atomy, zatímco 26 % objemu zabírají prázdné prostory. Jeden atom nebo koule ve struktuře CCP je obklopena 12 sousedními koulemi stejně jako v HCP. Krystalový systém CCP má 4 členy (atomy nebo koule) na jednotkovou buňku.
Jaké jsou podobnosti mezi HCP a CCP?
- HCP i CCP mají koule s 12 sousedními koulemi.
- Krystalové systémy HCP i CCP zabírají přibližně 74 % svého objemu koule nebo atomy, zatímco 26 % objemu zabírají prázdná místa.
Jaký je rozdíl mezi HCP a CCP?
HCP vs CCP |
|
| Termín HCP znamená hexagonální nejbližší sbalené krystalové systémy. | Termín CCP znamená kubické nejbližší sbalené krystalové systémy. |
| Jednotková buňka | |
| Jednotková buňka HCP má 6 členů. | Vedlecí věta začíná podřadicí spojkou nebo vztažným zájmenem. |
| Struktura | |
| V krystalových systémech HCP má třetí vrstva koulí stejné uspořádání koulí jako v první vrstvě, takže koule druhé vrstvy pokrývají čtyřstěnné otvory první vrstvy a třetí vrstvy. | V krystalových systémech CCP je druhá vrstva kuliček umístěna na polovině prohlubní první vrstvy a třetí vrstva je zcela odlišná od vrstvy prvních dvou vrstev; třetí vrstva je naskládána do prohlubní druhé vrstvy. |
| Opakující se struktura | |
| Opakující se struktura HCP má 2 vrstvy koulí. | Opakující se struktura CCP má 3 vrstvy koulí. |
Shrnutí – HCP vs CCP
HCP a CCP jsou dvě formy krystalových struktur. Rozdíl mezi HCP a CCP je ten, že v krystalových systémech HCP má třetí vrstva kuliček stejné uspořádání kuliček jako v první vrstvě; proto koule druhé vrstvy pokrývají čtyřstěnné otvory první vrstvy a třetí vrstvy, zatímco v krystalových systémech CCP je druhá vrstva kuliček umístěna na polovině prohlubní první vrstvy a třetí vrstva je zcela odlišná od vrstva prvních dvou vrstev; třetí vrstva je naskládána do prohlubní druhé vrstvy.
